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一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。g：gate 栅极；s：source 源极；d：drain 漏极。mos管的source源极和drain耗尽层是可以对调的，他们都是在p型backgate中形成的n型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为pmos管p沟道型和nmosn沟道型管，属于绝缘栅场效应管。

场效应管与三极管的区别：

1.场效应管和三极管的区别是电压和电流控制，在性能方面，场效应管要明显优于普通三极管，不管是频率还是散热要求，只要电路设计合理，采用场效应管会明显提升整体性能；

2.场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但由于他们构造和工作原理截然不同，所以二者的差异很大。在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管，是三极管无法替代的；

3.场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子；三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与；

4.场效应管属于电压控制器件，没有输入电流也会有输出电流；三极管属于电流控制器件，有输入电流才会有输出电流；

5.场效应管输入阻抗大；三极管输入阻抗小；

6.场效应管的频率特性不如三极管；

7.场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级；

8.信号源电流小应该选用场效应管，反之则选用三极管更为合适。

怎么选场效应管？

决议采纳n沟道还是p沟道mos管。正在垂范的功率使用中，当一度mos管接地，而负载联接到支线电压上时，该mos管就构

成了高压侧电门。正在高压侧电门中，应采纳n沟道mos管，这是出于对于开放或者导通机件所需电压的思忖。当mos管联接到总线及负载接地时，就要用低压侧开关。一般会正在某个拓扑中采纳p沟道mos管，这也是出于对于电压驱动的思忖。

肯定所需的额外电压，或者许机件所能接受的电压。额外电压越大，机件利润就越高。依据理论经历，额外电压该当大于支线电压或者总线电压。那样能力需要剩余的掩护，使mos管没有会生效。就取舍mos管而言，必需肯定漏极i至源极间能够接受的电压，即vds。晓得mos管能接受的电压会随量度而变迁这点非常主要。咱们须正在整个任务量度范畴内测试电压的变迁范畴。额外

电压必需有剩余的余量遮盖某个变迁范畴，-通路没有会生效。需求思忖的其余保险要素囊括由电门电子设施如发电机或者变压器诱发的电压瞬变。没有同使用的额外电压也有所没有同；一般，便携式设施为20v、fpga电源为20～30v、85～220vac使用为450～600v。kia半超导体设想的mos管耐压威力强，使用畛域广，-辽阔存户青眼。