启东2090MOS公司询问报价 苏州炫吉电子科技

-情况有：

1.电路设计的问题，就是让mos管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致mos管-的一个原因。如果n-mos做开关，g级电压要比电源高几v，才能完全导通，p-mos则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以u*i也增大，损耗就意味着-。这是设计电路的非常忌讳的错误。

2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，mos管上的损耗增大了，所以-也加大了。

3.没有做好足够的散热设计，电流太高，mos管标称的电流值，一般需要-的散热才能达到。所以id小于大电流，也可能--，需要足够的辅助散热片。

4.mos管的选型有误，对功率判断有误，mos管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。

公司成立于2013年7月，-从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压mos及电源、锂电ic等的销售，在led及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您-适合的芯片方案。

用电源ic立即驱动mos管

一个好的mos管驱动电路有下面几点规定：

1开关管启用瞬间，驱动电路应能输出非常大的电流，使mos管栅源极间工作电压快速升高到所需值，-开关管能迅速开启且不会有上升沿的高频率震荡。

2电源开关通断期内，驱动电路能-mos管栅源极间工作电压长期保持，且有效通导。

3关闭一瞬间驱动电路，能供应一个尽量低阻抗的通道，供mos管栅源极间电容工作电压的迅速泄流，-开关管能迅速关闭。

4驱动电路构造简易-、耗损小。

5依据具体情况开展防护。

在控制模块电源中，常见的是电源ic直接驱动mos管。应用中，应当留意较大驱动高值电流量、mos管的分布电容2个主要参数。电源ic的驱动能力、mos分布电容尺寸、驱动电阻器电阻值都将危害mos管电源开关速率。假如挑选mos管分布电容较为大，电源ic內部的驱动能力又不够时，必须在驱动电路上提高驱动能力，常应用图腾柱电源电路提升电源ic驱动能力。

 跟双旋光性晶体三极管对比，一般觉得使mos管导通不用电流量，只需要gs电压高过一定的值就可以了。做到这一点比较容易，我们主要是需要一定的速率。

     对于mos管的结构来说，我们可以发现在gs、gd里会有一些寄生电容，而mos管的驱动，实际上就是对电容充电和放电。对于电容的充电我们只需要一个电流就够了，由于电容在充电的瞬间相当于可以把电容当做是短路，这个时候的瞬间电流会比一般情况下数值要高一些。因此我们再挑选或者是设计mos管驱动电路方案的时候，首先要先留意可提供的瞬间短路电流大小。