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mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。mos管的source和drain是可以对调的，他们都是在p型backgate中形成的n型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到mos管。mos管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。

无论n型或者p型mos管，其工作原理本质是一样的。mos管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。mos管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，mos管的开关速度应该比三极管快。

公司成立于2013年7月，-从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压mos及电源、锂电ic等的销售，在led及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您-适合的芯片方案。

现阶段我国市场上电动车早已愈来愈多，其环境保护的特征也获得了我国的认同，而且有替代汽柴油代步工具的发展趋势，电动车也跟别的代步工具一样，仪表盘上边体现汽车各系統运行情况，具有了不可或缺的功效，而跟仪表盘电路原理所采用的mos管可能危害到仪表盘的。

估测场效应管的放大能力

　　把万用表调到r×100档时，用红表笔去接源极s，用黑表笔去接漏极d，这就好像是给场效应管加上了1.5v的电压。这个时候表针指示的就是d-s极间的电阻值。这个时候用手指去捏栅极g，把人体的感应电压当做输入信号去加到栅极上时。因为管子放大的作用，id和uds都会变化，意思就是d-s极间的电阻发生了变化，我们可以观察到此时表针有较大的摆动幅度。假如手捏栅极时，表针的摆动幅度很小，也就是说管子的放大能力比较弱；如果表针没有丝毫动作，说明管子已经损坏了。

 跟双旋光性晶体三极管对比，一般觉得使mos管导通不用电流量，只需要gs电压高过一定的值就可以了。做到这一点比较容易，我们主要是需要一定的速率。

     对于mos管的结构来说，我们可以发现在gs、gd里会有一些寄生电容，而mos管的驱动，实际上就是对电容充电和放电。对于电容的充电我们只需要一个电流就够了，由于电容在充电的瞬间相当于可以把电容当做是短路，这个时候的瞬间电流会比一般情况下数值要高一些。因此我们再挑选或者是设计mos管驱动电路方案的时候，首先要先留意可提供的瞬间短路电流大小。